Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -30 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQJ951EP-T1_NE3
- RS Stock No.:
- 904-970
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ951EP-T1_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB66.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB71.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB66.53 |
| 10 - 24 | THB43.25 |
| 25 - 99 | THB25.66 |
| 100 - 499 | THB25.19 |
| 500 + | THB24.24 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 904-970
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ951EP-T1_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.017Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.13mm | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Length | 6.15mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.017Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 56W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.13mm | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Length 6.15mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
The Vishay high-performance automotive dual P-channel MOSFET designed for efficient power management in applications requiring robust performance and thermal stability.
AEC-Q101 qualified for automotive standards
TrenchFET technology ensures low on-resistance
Fully tested for reliability under stringent conditions
Lead-free and halogen-free construction supports environmental compliance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR4407DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ141ELR-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5207DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISH521EDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5207DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5203DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5205DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3
