Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -50 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD50P04-09L_NE3
- RS Stock No.:
- 904-967
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD50P04-09L_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB72.71
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB77.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB72.71 |
| 10 - 24 | THB47.05 |
| 25 - 99 | THB28.04 |
| 100 - 499 | THB27.56 |
| 500 + | THB26.61 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 904-967
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD50P04-09L_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0094Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 103nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0094Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 103nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
The Vishay P-Channel MOSFET designed to efficiently manage power in high-temperature environments. It operates effectively in automotive applications with its robust specifications.
Halogen-free, compliant with IEC 61249-2-21 for environmentally friendly use
Features low on-state resistance, ensuring efficient performance
Qualified to AEC-Q101, meeting stringent automotive standards
Exceptional thermal resistance for better performance under high loads
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR4407DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ141ELR-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2303CES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2325CES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA489CEJW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR401DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5207DP-T1-UE3
