Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 50 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB55,467.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB59,349.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB18.489THB55,467.00
6000 - 9000THB17.935THB53,805.00
12000 +THB17.397THB52,191.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
165-6938
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR401DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

205nC

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง