Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -0.84 A, -150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2325CES-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 735-220
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2325CES-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB13.37
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB14.31
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB13.37 |
| 25 - 99 | THB8.91 |
| 100 + | THB4.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-220
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2325CES-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -0.84A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -150V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.04mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 1.12mm | |
| Width | 2.64 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -0.84A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -150V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.04mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 1.12mm | ||
Width 2.64 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2303CES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -12 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3461CEV-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ181EL-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ141ELR-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -60 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ161EL-T1_GE3
