Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 100 A, 60 V N, 8-Pin PowerPAK SIR692DP-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 851-506
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR692DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB93.31
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB99.84
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB93.31 |
| 10 - 24 | THB60.93 |
| 25 - 99 | THB36.22 |
| 100 - 499 | THB35.12 |
| 500 + | THB34.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 851-506
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR692DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0048Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.04mm | |
| Length | 6.05mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 Qualified | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0048Ω | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.04mm | ||
Length 6.05mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 Qualified | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay high-performance MOSFET designed for efficient switching capabilities in power management applications. Its robust construction ensures reliability and optimal functionality in various demanding environments.
N-Channel configuration providing superior operational efficiency
ThunderFET technology enhances performance by optimising the balance of on-resistance and switching characteristics
Offers a maximum drain-source voltage of 250 V, ensuring suitability for high-voltage applications
Designed with a maximum continuous drain current of 24.2 A, accommodating extensive load conditions
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 250 V N, 8-Pin PowerPAK SIR692DP-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerPAK SIR178DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5406DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5408DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR532DP-T1-UE3