Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 20 A, 250 V N, 8-Pin PowerPAK SIR692DP-T1-BE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB93.31

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB99.84

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB93.31
10 - 24THB60.93
25 - 99THB36.22
100 - 499THB35.12
500 +THB34.57

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
851-504
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR692DP-T1-BE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.067Ω

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.04mm

Standards/Approvals

AEC-Q101 Qualified

Length

6.05mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay high-performance MOSFET designed for efficient power management in various electronic systems, ensuring reliability and precision in switching applications.

Utilises ThunderFET technology for optimal RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss balancing

Guaranteed 100% Rg and UIS tested for enhanced reliability

Supports a maximum drain-source voltage of 250V

Minimal on-resistance of 0.063Ω at VGS of 10V ensures low power loss

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง