Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 40 A, 80 V N, 8-Pin PowerPAK SIR178DP-T1-BE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB90.02

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB96.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB90.02
10 - 24THB58.73
25 - 99THB34.58
100 - 499THB34.02
500 +THB32.93

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
851-502
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR178DP-T1-BE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0029Ω

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69.5nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.04mm

Length

6.05mm

Standards/Approvals

AEC-Q101 Qualified

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TW
The Vishay high-performance N-Channel power MOSFET designed for efficient energy management. Its primary function is to optimise conduction with low power loss, making it suitable for various power applications.

TrenchFET Gen IV technology ensures superior performance

Extremely low on-state resistance minimises conduction losses

Supports low voltage gate drive for enhanced efficiency

Completely tested for reliability under R and UIS conditions

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง