Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 40 A, 80 V N, 8-Pin PowerPAK SIR178DP-T1-BE3
- RS Stock No.:
- 851-502
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR178DP-T1-BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB90.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB96.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB90.02 |
| 10 - 24 | THB58.73 |
| 25 - 99 | THB34.58 |
| 100 - 499 | THB34.02 |
| 500 + | THB32.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 851-502
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR178DP-T1-BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0029Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.04mm | |
| Length | 6.05mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 Qualified | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0029Ω | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.04mm | ||
Length 6.05mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 Qualified | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
The Vishay high-performance N-Channel power MOSFET designed for efficient energy management. Its primary function is to optimise conduction with low power loss, making it suitable for various power applications.
TrenchFET Gen IV technology ensures superior performance
Extremely low on-state resistance minimises conduction losses
Supports low voltage gate drive for enhanced efficiency
Completely tested for reliability under R and UIS conditions
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerPAK SIR178DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 70 V N, 8-Pin PowerPAK SISS178LDN-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 70 V N, 8-Pin PowerPAK SISS176LDN-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 250 V N, 8-Pin PowerPAK SIR692DP-T1-BE3
- Vishay SI34 N channel-Channel Power MOSFET -20 V P, 8-Pin PowerPAK SI3493DDV-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V N, 8-Pin PowerPAK SIHH150N60E-T1-FE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V N, 8-Pin PowerPAK SIR692DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin SO-8 SIDR178DP-T1-RE3
