Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 19 A, 60 V N, 8-Pin PowerPAK SIHH150N60E-T1-FE3
- RS Stock No.:
- 851-496
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHH150N60E-T1-FE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB194.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB207.97
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB194.36 |
| 10 - 49 | THB120.71 |
| 50 - 99 | THB73.18 |
| 100 + | THB71.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 851-496
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHH150N60E-T1-FE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 Qualified | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0Ω | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 Qualified | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay Power MOSFET designed to deliver high efficiency in power management applications, optimising performance in demanding environments.
Utilises Advanced E series technology for improved energy efficiency
Offers low figure-of-merit, enhancing overall performance
Reduces conduction and switching losses significantly for enhanced longevity
Avalanche rated, ensuring reliable operation under extreme conditions
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 70 V N, 8-Pin PowerPAK SISS178LDN-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerPAK SIR178DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 70 V N, 8-Pin PowerPAK SISS176LDN-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 250 V N, 8-Pin PowerPAK SIR692DP-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V N, 8-Pin PowerPAK SIR692DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerPAK SIR178DP-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerPAK SIRS5800LEPW-T1RE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin SO-8 SIDR178DP-T1-RE3
