Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 40 A, 80 V N, 8-Pin SO-8 SIDR178DP-T1-RE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB130.16

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB139.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB130.16
10 - 24THB84.69
25 - 99THB50.18
100 - 499THB49.14
500 +THB47.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
851-501
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIDR178DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0029Ω

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.25mm

Length

6.05mm

Height

1.04mm

Standards/Approvals

AEC-Q101 Qualified

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TW
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET, designed to enable efficient power switching applications. Its capabilities ensure reliable operation within varying voltage and current ranges.

TrenchFET technology ensures low on-resistance and high efficiency

Top side cooling improves thermal transfer capabilities

Lead-free and halogen-free construction supports environmental compliance

Fully tested for reliability with 100% R and UIS tests

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง