Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 375 A, 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SIHG033N60SF-GE3
- RS Stock No.:
- 851-495
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG033N60SF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB340.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB364.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB340.26 |
| 10 - 49 | THB211.00 |
| 50 - 99 | THB127.83 |
| 100 + | THB124.98 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 851-495
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG033N60SF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 375A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 101nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 Qualified | |
| Width | 5mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 375A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 101nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 Qualified | ||
Width 5mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay power MOSFET designed for high-performance switching applications, delivering exceptional efficiency and reliability. This component features fast body diode technology, making it suitable for demanding voltage and current conditions.
Latest generation SF series technology enhances performance longevity
Low figure of merit ensures efficient operation
Avalanche energy rated, ensuring robustness under extreme conditions
Material categorization aids compliance in varied applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SQJA36EP-T1_BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SQJQ580E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SQRS160ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ580ER-T1_GE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SISS4634LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF458LDT-T1-UE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SISS862ADN-T1-UE3
- STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerFLAT
