Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 375 A, 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SQJQ580E-T1_GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB210.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB225.26

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB210.52
10 - 49THB130.69
50 - 99THB79.36
100 +THB77.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
851-494
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJQ580E-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

375A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

101nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101 Qualified

Height

1mm

Length

6mm

Width

5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay automotive MOSFET is an Automotive N-Channel device designed for reliable power management. It excels in high-temperature conditions, ensuring efficient performance across diverse applications in the automotive sector.

TrenchFET Gen V technology enhances power efficiency

AEC-Q101 qualified for stringent automotive standards

Maximum drain-source voltage of 80 V ensures robust operation

Low on-state resistance delivers efficient performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง