Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 375 A, 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SQRS160ELP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 851-492
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQRS160ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB131.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB140.96
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB131.74 |
| 10 - 24 | THB85.74 |
| 25 - 99 | THB50.71 |
| 100 - 499 | THB49.67 |
| 500 + | THB48.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 851-492
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQRS160ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 375A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 101nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 Qualified | |
| Height | 1mm | |
| Length | 6mm | |
| Width | 5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 375A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 101nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 Qualified | ||
Height 1mm | ||
Length 6mm | ||
Width 5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay automotive MOSFET delivers robust performance for high-efficiency applications, designed to provide superior switching capabilities and reliability in demanding automotive environments.
N-Channel configuration supports high current applications
TrenchFET Gen IV technology enhances efficiency and thermal performance
AEC-Q101 qualified for automotive safety and reliability standards
Low on-state resistance ensures minimal power loss during operation
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SQJQ580E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SQJA36EP-T1_BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK SIHG033N60SF-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ580ER-T1_GE3
- STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerFLAT
- Vishay TrenchFET N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF458LDT-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerPAK SIRS5800LEPW-T1RE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET 70 V N, 8-Pin PowerPAK SISS178LDN-T1-BE3
