STMicroelectronics N channel-Channel MOSFET, 220 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerFLAT STL190N8F8
- RS Stock No.:
- 834-676
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STL190N8F8
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB170,409.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB182,337.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB56.803 | THB170,409.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 834-676
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STL190N8F8
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 220A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1mm | |
| Length | 6mm | |
| Width | 5mm | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 220A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1mm | ||
Length 6mm | ||
Width 5mm | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- SG
The STMicroelectronics N channel power MOSFET designed to deliver efficient performance in various power applications. It features robust specifications suitable for High current demands in Compact packaging.
Max drain-source voltage of 80 V ensures operational reliability
Low on-resistance of 4.5 mΩ promotes energy efficiency
High continuous drain current rating up to 126 A supports demanding designs
Optimised for a maximum junction temperature of 175 °C for enhanced durability
Avalanche tested design guarantees robustness under fault conditions
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerLeaded STL125N10LF8AG
- STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerFLAT
- Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR680ADP-T1-UE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580LDP-T1-UE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS128LDN-T1-UE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580DP-T1-UE3
- Vishay SQJ N channel-Channel Single MOSFETs 200 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJQ190ER-T1_GE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SISS862ADN-T1-UE3
