Vishay SQJ N channel-Channel Single MOSFETs, 95 A, 200 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJQ190ER-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 829-355
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJQ190ER-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB194.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB207.97
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB194.36 |
| 10 - 49 | THB120.71 |
| 50 - 99 | THB73.18 |
| 100 + | THB71.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 829-355
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJQ190ER-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 95A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | SQJ | |
| Package Type | P | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0143Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 8.10mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 8mm | |
| Height | 1.04mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 95A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series SQJ | ||
Package Type P | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0143Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 8.10mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 8mm | ||
Height 1.04mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay power MOSFET offers exceptional performance in automotive applications, ensuring reliable operation under challenging conditions with robust thermal management capabilities for both performance and lifespan.
TrenchFET technology for enhanced efficiency
AEC-Q101 qualified for automotive industry reliability
Thin profile of 1.9 mm complements Compact designs
Maximum drain-source voltage of 200 V supports high-performance circuits
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJ N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJ160ELP-T1_GE3
- Vishay SQJ N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJ766EP-T1_GE3
- Vishay SQJ P-Channel Single MOSFETs -60 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJ457EP-T1_NE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580LDP-T1-UE3
- Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR680ADP-T1-UE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS128LDN-T1-UE3
- Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIRS5100EPW-T1-RE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS110DN-T1-GE3
