STMicroelectronics N channel-Channel MOSFET, 125 A, 100 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerLeaded STL125N10LF8AG
- RS Stock No.:
- 834-675
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STL125N10LF8AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB139,974.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB149,772.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB46.658 | THB139,974.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 834-675
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STL125N10LF8AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 125A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerLeaded | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6mm | |
| Width | 5mm | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 125A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerLeaded | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6mm | ||
Width 5mm | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET utilizes Advanced trench gate technology to optimize power density and efficiency across automotive and industrial power conversion systems.
Automotive grade qualification ensures reliable operation under extreme conditions
State of the ART figure of merit significantly reduces overall switching losses
Very low on state resistance minimizes thermal dissipation during high current conduction
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerFLAT STL190N8F8
- STMicroelectronics N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement Mode, 7-Pin PowerLeaded STK295N10F8AG
- STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerFLAT
- Vishay SQJ N channel-Channel Single MOSFETs 200 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJQ190ER-T1_GE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SISS862ADN-T1-UE3
- Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR680ADP-T1-UE3
- Vishay SQJ N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJ160ELP-T1_GE3
- Vishay SQJ N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJ766EP-T1_GE3