Vishay SI P-Channel Single MOSFETs, -120 A, -60 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 SQM120P06-07L_NE3
- RS Stock No.:
- 829-359
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQM120P06-07L_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB176.31
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB188.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB176.31 |
| 10 - 49 | THB109.30 |
| 50 - 99 | THB66.53 |
| 100 + | THB64.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 829-359
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQM120P06-07L_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SI | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0067Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.57mm | |
| Length | 10.16mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 10.28mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SI | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0067Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.57mm | ||
Length 10.16mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 10.28mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
The Vishay automotive P-Channel power MOSFET designed for high-performance applications, providing a robust solution for effective power management in automotive environments.
TrenchFET technology enhances efficiency and reduces power loss
AEC-Q101 qualified for reliability in automotive applications
Low thermal resistance package ensures optimal heat dissipation
Excellent on-state resistance at varying gate voltages improves performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQM P-Channel Single MOSFETs -100 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 SQM100P10-19L_NE3
- Vishay SQD P-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-252 SQD50P04-13L_NE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580DP-T1-UE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580LDP-T1-UE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement Mode, 6-Pin P SIA432BDJ-T1-GE3
- Microchip TP2104 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip VN2210 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip TN2504 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
