Vishay SQD P-Channel Single MOSFETs, 50 A, -60 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-252 SQD50P06-15L_NE3
- RS Stock No.:
- 829-351
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD50P06-15L_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB83.64
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB89.49
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB83.64 |
| 10 - 24 | THB54.36 |
| 25 - 99 | THB32.40 |
| 100 - 499 | THB31.36 |
| 500 + | THB30.84 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 829-351
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD50P06-15L_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Series | SQD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0155Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Forward Voltage Vf | -1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 6.73mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Length | 6.22mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Series SQD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0155Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Forward Voltage Vf -1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 6.73mm | ||
Height 2.38mm | ||
Length 6.22mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
The Vishay high-performance power MOSFET designed for automotive applications. This device ensures reliable operation under demanding conditions with robust performance characteristics.
TrenchFET technology enables efficient power management
Low thermal resistance package enhances heat dissipation
Fully tested for R and UIS ensures reliability
AEC-Q101 qualified for automotive safety standards
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQD P-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-252 SQD50P04-13L_NE3
- Vishay SQM P-Channel Single MOSFETs -100 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 SQM100P10-19L_NE3
- Vishay SI P-Channel Single MOSFETs -60 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 SQM120P06-07L_NE3
- Vishay SQM P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 SQM120P04-04L_NE3
- Microchip APT N channel-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-247 APT40N60BC7
- Microchip APT N channel-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-247 APT100N60BC7
- Microchip TP2104 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip VN2210 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
