Vishay SQM P-Channel Single MOSFETs, -93 A, -100 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 SQM100P10-19L_NE3
- RS Stock No.:
- 829-357
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQM100P10-19L_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB170.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB182.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB170.13 |
| 10 - 49 | THB105.50 |
| 50 - 99 | THB64.15 |
| 100 + | THB62.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 829-357
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQM100P10-19L_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -93A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -100V | |
| Series | SQM | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0190Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 124nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 10.28mm | |
| Length | 10.16mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -93A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -100V | ||
Series SQM | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0190Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 124nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 10.28mm | ||
Length 10.16mm | ||
Height 4.57mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
The Vishay power MOSFET designed for automotive applications, offering efficient performance and high reliability. Its Advanced TrenchFET technology ensures optimal thermal management and effective switching capabilities.
TrenchFET technology enhances efficiency and thermal performance
Rated for a Drain-Source Voltage of -100 V, ensuring robust operation
Package designed for low thermal resistance for better heat dissipation
Tests show 100% R and UIS validation for high reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SI P-Channel Single MOSFETs -60 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 SQM120P06-07L_NE3
- Vishay SQD P-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-252 SQD50P04-13L_NE3
- Vishay SQ P-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement Mode, 6-Pin TSOP-6 SQ3457CEV-T1_GE3
- Vishay SQJ P-Channel Single MOSFETs -60 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJ457EP-T1_NE3
- Microchip VN2210 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIRS5100EPW-T1-RE3
- Microchip TN2504 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
- Microchip TN2640 N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3
