Vishay SQJ P-Channel Single MOSFETs, -36 A, -60 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJ457EP-T1_NE3
- RS Stock No.:
- 829-353
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ457EP-T1_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB48.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB51.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB48.47 |
| 10 - 24 | THB31.36 |
| 25 - 99 | THB18.53 |
| 100 + | THB18.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 829-353
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ457EP-T1_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Series | SQJ | |
| Package Type | P | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.025Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 245W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 1.04mm | |
| Width | 4.90mm | |
| Length | 6.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Series SQJ | ||
Package Type P | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.025Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Maximum Power Dissipation Pd 245W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 1.04mm | ||
Width 4.90mm | ||
Length 6.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
The Vishay power MOSFET offers reliable performance for automotive applications, providing efficient switching and high thermal conductivity to ensure robust operation under various conditions.
AEC-Q101 qualified for automotive applications
TrenchFET technology enhances efficiency and reduces power loss
On-state resistance at -10V gate voltage is 0.0250 Ohm
Continuous drain current rated at -36A for high-performance applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJ N channel-Channel Single MOSFETs 200 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJQ190ER-T1_GE3
- Vishay SQJ N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJ160ELP-T1_GE3
- Vishay SQJ N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin P SQJ766EP-T1_GE3
- Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIRS5100EPW-T1-RE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580DP-T1-UE3
- Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR680ADP-T1-UE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580LDP-T1-UE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS110DN-T1-GE3
