Vishay TrenchFET N channel-Channel Automotive MOSFET, 25 A, 200 V MOSFET, 8-Pin PowerPAK 8 x 8 SQJQ190E-T1_GE3

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 50 ชิ้น)*

THB102.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB109.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
50 - 450THB2.053THB102.65
500 - 1200THB1.331THB66.55
1250 - 4950THB0.703THB35.15
5000 - 24950THB0.684THB34.20
25000 +THB0.665THB33.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
790-426
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJQ190E-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

Automotive MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

MOSFET

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay N Channel MOSFET delivers robust performance for automotive applications, designed to handle high current and voltage with efficiency. Its Advanced construction ensures reliability in demanding environments.

Rated for a drain-source voltage of 200V

AEC Q101 qualified for automotive standards

Capable of continuous drain currents up to 95A

Support for a maximum junction temperature of 175°C

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง