Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 189 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ570ER-T1_GE3

RS Stock No.:: 735-253
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJQ570ER-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 189 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ570ER-T1_GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB202.49

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB216.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB202.49
10 - 49	THB125.75
50 - 99	THB97.04
100 +	THB65.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id	189A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	PowerPAK (8x8LR)
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0105Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	85nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	8 mm
	Length	10.42mm
	Height	1.9mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id 189A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type PowerPAK (8x8LR)
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0105Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 8 mm
	Length 10.42mm
	Height 1.9mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard AEC-Q101