Vishay TrenchFET P-Channel Automotive MOSFET, -4.4 A, 60 V MOSFET, 8-Pin SO-8 SQ4961CEY-T1_GE3

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*

THB321.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB343.74

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
10 - 90THB32.125THB321.25
100 - 490THB19.912THB199.12
500 - 990THB15.445THB154.45
1000 +THB10.407THB104.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
790-420
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQ4961CEY-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

P-Channel

Product Type

Automotive MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-4.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.085Ω

Channel Mode

MOSFET

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Maximum Power Dissipation Pd

3.3W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay Power MOSFET offers high performance in automotive applications, featuring a dual P-channel configuration designed to effectively manage voltage up to 60V while operating in extreme temperature conditions of 175 °C.

AEC Q101 qualified for automotive reliability

100% R and UIS testing ensures consistent operation

Dual P-channel configuration increases design flexibility

Low on-state resistance enhances energy efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง