Vishay TrenchFET Dual N-Channel Automotive MOSFET, 21 A, 60 V MOSFET, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ768ELP-T1_GE3

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*

THB511.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB547.64

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
10 - 40THB51.181THB511.81
50 +THB50.183THB501.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
790-425
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJ768ELP-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Automotive MOSFET

Channel Type

Dual N-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0305Ω

Channel Mode

MOSFET

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay Automotive dual N-channel power MOSFET offers robust performance across a wide temperature range, designed to efficiently manage switching and drive applications in automotive systems.

TrenchFET power MOSFET technology ensuring efficient operation

AEC Q101 qualified for reliability in automotive applications

100% R and UIS tested for guaranteed performance assurance

Low on-state resistance values contribute to improved efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง