Vishay TrenchFET Dual N-Channel Automotive MOSFET, 8 A, 40 V MOSFET, 8-Pin SO-8 SQ4940CEY-T1_BE3
- RS Stock No.:
- 790-419
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4940CEY-T1_BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB304.62
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB325.94
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB30.462 | THB304.62 |
| 100 - 490 | THB18.866 | THB188.66 |
| 500 - 990 | THB14.637 | THB146.37 |
| 1000 + | THB9.885 | THB98.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 790-419
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4940CEY-T1_BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Automotive MOSFET | |
| Channel Type | Dual N-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.024Ω | |
| Channel Mode | MOSFET | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Automotive MOSFET | ||
Channel Type Dual N-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.024Ω | ||
Channel Mode MOSFET | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay Power MOSFET is designed for automotive applications, delivering efficient performance in demanding environments. It features dual N-channel functionality, Ideal for various electronic control systems.
Operates at a drain-source voltage of 40 V for reliable performance
AEC Q101 qualified to ensure high reliability in automotive applications
Designed for a maximum continuous drain current of 8 A, supporting high power demands
Material categorisation compliant with industry standards for environmental safety
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Dual N-Channel Automotive MOSFET 60 V MOSFET, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ768ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8L SQJ968EP-T1_BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Automotive MOSFET 100 V MOSFET, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ114EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Automotive MOSFET 200 V MOSFET, 8-Pin PowerPAK 8 x 8 SQJQ190E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Automotive MOSFET 100 V MOSFET, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ112EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel Automotive MOSFET 30 V MOSFET, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS135ELNW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel Automotive MOSFET 60 V MOSFET, 8-Pin SO-8 SQ4961CEY-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5300DT-T1-UE3