Vishay TrenchFET N channel-Channel Automotive MOSFET, 58 A, 100 V MOSFET, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ114EP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 790-423
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ114EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB528.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB565.43
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB52.844 | THB528.44 |
| 50 + | THB51.799 | THB517.99 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 790-423
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ114EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Automotive MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0119Ω | |
| Channel Mode | MOSFET | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 115W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 75nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Automotive MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0119Ω | ||
Channel Mode MOSFET | ||
Maximum Power Dissipation Pd 115W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 75nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay Automotive N-Channel MOSFET delivers superior performance as a power switching device. It is designed for high-efficiency applications, offering excellent thermal performance and drive capabilities.
PowerPAK SO-8L package for Compact design
AEC Q101 qualified for automotive applications
Drain-source voltage rating of 100V ensures reliability
Ultra-low on-state resistance of 0.0119Ω at 10V enhances efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Automotive MOSFET 80 V MOSFET, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ183ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Automotive MOSFET 100 V MOSFET, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ112EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel Automotive MOSFET 200 V MOSFET, 8-Pin PowerPAK 8 x 8 SQJQ190E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Dual N-Channel Automotive MOSFET 60 V MOSFET, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ768ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS136ELNW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS136ENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel Automotive MOSFET 30 V MOSFET, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS135ELNW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ742EP-T1_GE3