Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 23.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8L SQJ968EP-T1_BE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB51.49

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB55.09

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB51.49
10 - 24THB33.67
25 - 99THB17.82
100 - 499THB17.33
500 +THB16.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-655
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJ968EP-T1_BE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

23.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8L

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.134Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.07mm

Length

5.13mm

Width

6.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง