Vishay MaxSiC N-Channel MOSFET, 32 A, 1.2 kV N, 7-Pin TO-263-7L MXP120A080SE-T1GE3
- RS Stock No.:
- 790-413
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MXP120A080SE-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 38%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB443.86
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB474.93
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | การประหยัด |
|---|---|---|
| 1 - 9 | THB443.86 | - |
| 10 - 49 | THB275.15 | 38% |
| 50 - 99 | THB212.90 | 52% |
| 100 + | THB143.99 | 67% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 790-413
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MXP120A080SE-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 32A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-263-7L | |
| Series | MaxSiC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 185W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 4.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 4.5mm | |
| Length | 9.23mm | |
| Width | 10.28mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 32A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-263-7L | ||
Series MaxSiC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 185W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 4.7V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 4.5mm | ||
Length 9.23mm | ||
Width 10.28mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
The Vishay High performance N-Channel MOSFET is designed for efficient energy conversion in demanding applications, featuring Advanced switching capabilities and robust operational characteristics.
Fast switching speed enhances overall system performance
Short circuit withstand time of 3 μs improves reliability
Gate-source voltage of -10 to +22 V allows flexible operation
Continuous drain current of 32 A ensures effective functionality
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay MaxSiC N-Channel MOSFET 1200 V N, 7-Pin TO-263-7L MXP120A063SE-T1GE3
- Vishay MaxSiC N-Channel MOSFET 1200 V N, 7-Pin TO-263-7L MXPQ120A045SE-1GE3
- Vishay MaxSiC N-Channel MOSFET 1200 V N, 4-Pin TO-247AD MXP120A080SL-GE3
- Vishay MaxSiC N-Channel MOSFET 1200 V N, 4-Pin TO-247AD MXP120A063SL-GE3
- Vishay MaxSiC N-Channel MOSFET 1200 V N, 4-Pin TO-247AD MXPQ120A063SL-GE3
- Vishay MaxSiC N-Channel MOSFET 1200 V N, 4-Pin TO-247AD MXPQ120A080SL-GE3
- Vishay MXP N-Channel Power Semiconductor 1200 V N, 7-Pin TO-263-7L MXP120A045SE-T1GE3
- Vishay SUM N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7L SUM70042M-GE3