Vishay MXP N channel-Channel Power Semiconductor, 52 A, 1200 V N, 7-Pin TO-263-7L MXP120A045SE-T1GE3
- RS Stock No.:
- 736-648
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MXP120A045SE-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB650.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB695.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 4 | THB650.04 |
| 5 + | THB637.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 736-648
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MXP120A045SE-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power Semiconductor | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 52A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-263-7L | |
| Series | MXP | |
| Mount Type | SMD | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 82mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 4.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 268W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power Semiconductor | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 52A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-263-7L | ||
Series MXP | ||
Mount Type SMD | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 82mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 4.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 268W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
The Vishay N-Channel Sic Mosfet provides exceptional performance for high-power solar inverters and energy storage systems. This robust component prioritises operational safety by offering a reliable 3 microsecond short circuit withstand time for demanding electronics.
Fast switching speed for high efficiency
Advanced silicon carbide technology
Enhanced reliability for uninterruptible power supplies
Compliant material categorization for industrial standards
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay MXP N channel-Channel MOSFET 1200 V N, 3-Pin TO-247AD 3L MXP120A045SW-GE3
- Vishay MXP N channel-Channel MOSFET 1200 V N, 4-Pin TO-247-4L MXP120A045SL-GE3
- Vishay MXP N channel-Channel MOSFET 1200 V N, 3-Pin TO-247AD 3L MXPQ120A045SW-GE3
- Infineon IGW15T120FKSA1 30 A 1200 V Through Hole
- Infineon 30 A 1200 V Through Hole
- Infineon 75 A 600 V Through Hole
- Infineon IGW75N60TFKSA1 75 A 600 V Through Hole
- Vishay SUM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7L SUM70042M-GE3