Vishay MaxSiC N channel-Channel MOSFET, 52 A, 1200 V N, 7-Pin TO-263-7L MXPQ120A045SE-1GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB656.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB702.72

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB656.75
5 +THB643.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
790-411
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MXPQ120A045SE-1GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

MaxSiC

Package Type

TO-263-7L

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

82nC

Forward Voltage Vf

4.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Power Dissipation Pd

268W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

4.5mm

Width

10.28mm

Length

9.23mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TW
The Vishay 1200 V N-Channel SiC MOSFET is designed for demanding power applications, combining speed, reliability, and compliance. Its Advanced construction ensures efficient performance while meeting strict automotive and environmental standards.

AEC-Q101 qualified for automotive-grade reliability

Fast switching speed for improved efficiency

Halogen free for safer and eco-friendly use

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง