Vishay MaxSiC N channel-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V N, 4-Pin TO-247AD MXPQ120A080SL-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB513.71

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB549.67

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB513.71
5 +THB503.26

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
790-417
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MXPQ120A080SL-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

MaxSiC

Package Type

TO-247AD

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Forward Voltage Vf

4.7V

Maximum Power Dissipation Pd

174W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.21mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

23.6mm

Width

16.13mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay High performance N-Channel SiC MOSFET designed for efficient power switching applications, ensuring optimal performance and reliability in your systems.

Fast switching speed enhances overall system efficiency

Short circuit withstand time of 3 μs provides robust protection

AEC-Q101 qualified for automotive applications ensures reliability

Low on-state resistance minimises power loss during operation

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง