Vishay MaxSiC N channel-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V N, 4-Pin TO-247AD MXP120A080SL-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB489.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB524.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB489.95
5 +THB479.97

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
790-418
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MXP120A080SL-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247AD

Series

MaxSiC

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Power Dissipation Pd

174W

Forward Voltage Vf

4.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

16.13mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

5.21mm

Length

23.6mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay 1200 V N-Channel SiC MOSFET is engineered for high-performance power applications, offering efficiency, speed, and reliability. Its Advanced design ensures robust operation under demanding conditions while maintaining eco-friendly compliance.

Fast switching speed enhances overall efficiency

Short circuit withstand time up to 3 μs ensures reliability

Rated for a maximum drain-source voltage of 1200 V

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง