Vishay MaxSiC N channel-Channel MOSFET, 41 A, 1200 V N, 7-Pin TO-263-7L MXP120A063SE-T1GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB508.01

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB543.57

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB508.01
5 +THB498.03

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
790-412
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MXP120A063SE-T1GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

41A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

MaxSiC

Package Type

TO-263-7L

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

79mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

221W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

4.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

9.23mm

Width

10.28mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

4.5mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TW
The Vishay High performance N-Channel SiC MOSFET is designed for efficient power management in demanding applications. It excels in its Ability to handle high voltages and ensure reliable operation.

Fast switching speed enhances overall system performance

Short circuit withstand time of 3 μs ensures reliability during faults

Operating voltage range for gate-source control optimises flexibility

Continuous drain current capability supports robust energy transfer

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง