ROHM RD3P08BBLHRB Type P-Channel Single MOSFETs, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3P08BBLHRBTL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 11%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB270.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB289.84

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 96 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
การประหยัด
2 - 18THB135.44THB270.88-
20 - 98THB119.435THB238.8711%
100 - 198THB107.13THB214.2620%
200 +THB84.14THB168.2837%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
687-355
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
RD3P08BBLHRBTL
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252 (TL)

Series

RD3P08BBLHRB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Maximum Power Dissipation Pd

142W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.8mm

Length

10.5mm

Standards/Approvals

AEC-Q101, RoHS

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM N channel power MOSFET designed for robust applications requiring efficient switching. With a maximum voltage rating of 100V and a continuous drain current of 80A, this component delivers reliable power management. Its low on-resistance of just 6.2mΩ ensures minimal energy loss during operation, which is critical for enhancing the efficiency of power supplies. Supporting a wide range of commutated current applications, this MOSFET is AEC-Q101 qualified, making it suitable for automotive environments. Its compact DPAK package allows for improved thermal performance in confined spaces.

Low on resistance enhances energy efficiency, reducing heat generation

100V drain-source voltage rating supports diverse high-voltage applications

Continuous drain current of 80A allows for dependable performance under heavy loads

AEC Q101 qualified, assuring high reliability for automotive applications

Compact TO-252 package facilitates better thermal management and space-saving designs

Robust avalanche capability ensures safety during transient conditions

High power dissipation of 142W accommodates demanding operational needs

Pb free plating and RoHS compliant, aligning with environmentally friendly practices

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง