ROHM RD3N045AT Type P-Channel Single MOSFETs, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3N045ATTL1

RS Stock No.:: 687-488
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RD3N045ATTL1
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM RD3N045AT Type P-Channel Single MOSFETs, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3N045ATTL1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB35.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB38.146

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 48	THB17.825	THB35.65
50 - 198	THB15.84	THB31.68
200 - 998	THB14.355	THB28.71
1000 - 1998	THB11.385	THB22.77
2000 +	THB11.14	THB22.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-488
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RD3N045ATTL1
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type P
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TO-252 (TL)
	Series	RD3N045AT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	650mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	17W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.50mm
	Width	6.8 mm
	Height	2.3mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type P
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TO-252 (TL)
	Series RD3N045AT
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 650mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 17W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.50mm
	Width 6.8 mm
	Height 2.3mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - RD3N045ATTL1

COO (Country of Origin):: JP

The ROHM P channel MOSFET designed for a variety of power applications. With a drain-source voltage rating of -80V and a continuous drain current capability of -4.5A, this MOSFET provides excellent electrical performance for demanding environments. Its low on-resistance of 650mΩ maximises efficiency while minimising heat generation, contributing to superior overall reliability. RoHS compliant and featuring a robust TO-252 package, the RD3N045AT is ideal for motor drives and other switching applications, ensuring robust operation in high-power scenarios. The device is rigorously tested for gate reliability and features are also halogen-free, supporting environmentally friendly practices.

Low on resistance of 650mΩ enhances efficiency and reduces power losses

Provides high power handling capabilities with a maximum power dissipation of 17W

Rated for a maximum junction temperature of 150°C, ensuring reliability under strenuous conditions

Pulsed drain current capacity of ±9A supports transient load applications

Gate-source voltage tolerance of ±20V allows for flexible circuit designs

Ideal for motor drive applications, enhancing performance in electric motors

RoHS compliant construction promotes environmental sustainability

Tested for 100% Rg and UIS reliability, ensuring robust long-term performance

ROHM RD3N045AT Type P-Channel Single MOSFETs, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3N045ATTL1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง