ROHM RD3N03BAT Type P-Channel Single MOSFETs, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3N03BATTL1

RS Stock No.:: 687-384
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RD3N03BATTL1
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM RD3N03BAT Type P-Channel Single MOSFETs, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3N03BATTL1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB61.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB66.22

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 18	THB30.94	THB61.88
20 - 48	THB27.23	THB54.46
50 - 198	THB24.505	THB49.01
200 - 998	THB19.805	THB39.61
1000 +	THB19.31	THB38.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-384
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RD3N03BATTL1
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Channel Type	Type P
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TO-252 (TL)
	Series	RD3N03BAT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	56mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	50nC
	Maximum Power Dissipation Pd	54W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.3mm
	Length	10.50mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, RoHS
	Width	6.8 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Channel Type Type P
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TO-252 (TL)
	Series RD3N03BAT
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 50nC
	Maximum Power Dissipation Pd 54W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.3mm
	Length 10.50mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS
	Width 6.8 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - RD3N03BATTL1

COO (Country of Origin):: JP

The ROHM P channel power MOSFET designed to deliver efficient operation in a variety of applications, including motor drives and switching circuits. With a maximum drain-source voltage of -80V and continuous drain current capabilities reaching -30A, this device is engineered for robust performance under demanding conditions. Its low on-resistance of 56mΩ ensures optimal efficiency, minimising energy losses during operation. Additionally, the TO-252 package allows for easy integration into electronic designs, providing versatility and reliability in compact form factors. The RD3N03BAT is also compliant with RoHS and halogen-free standards, making it a suitable choice for environmentally conscious designs.

Low on resistance for improved efficiency and reduced thermal management

High power capability within a compact TO-252 package for versatile application

RoHS and halogen-free compliance ensures environmental safety for modern electronics

Extensive testing, including Rg and UIS, guarantees reliable operation and performance

Wide operating temperature range of -55 to +150 °C supports various environmental conditions

Designed with reliable avalanche energy ratings for enhanced safety during transient conditions

ROHM RD3N03BAT Type P-Channel Single MOSFETs, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3N03BATTL1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง