ROHM AG194FPD3HRB Type N-Channel Single MOSFETs, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG194FPD3HRBTL

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB166.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB177.994

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2 - 18THB83.175THB166.35
20 - 98THB73.27THB146.54
100 - 198THB65.845THB131.69
200 +THB51.735THB103.47

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
687-353
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AG194FPD3HRBTL
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

AG194FPD3HRB

Package Type

TO-252 (TL)

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

142W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.50mm

Width

6.80 mm

Height

2.3mm

Standards/Approvals

AEC-Q101, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
The ROHM N channel power MOSFET designed for applications requiring robust power management. Operating at a maximum of 100V and capable of handling continuous currents up to 80A, this component excels in delivering low on-resistance, thus minimising power loss in demanding automotive systems. Its Pb-free plating and compliance with RoHS standards ensure both environmental safety and reliability. Notably, the device is fully qualified under AEC-Q101, making it suitable for automotive applications where performance and resilience are critical. With a power dissipation capability of 142W and stringent avalanche testing, this MOSFET supports reliable operation in a variety of high-performance circuits.

Offers a low on resistance of 6.2mΩ for improved efficiency

Rated for continuous drain current of 80A, suitable for high-power applications

Features a breakdown voltage of 100V providing robustness against voltage spikes

AEC Q101 qualified, ensuring reliability in automotive environments

Avalanche tested, allowing for safe operation under transient conditions

Pb free and RoHS compliant, aligning with environmental standards

Ideal for automotive systems, enhancing power management capabilities

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง