ROHM RD3G04BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs, 40 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3G04BBJHRBTL
- RS Stock No.:
- 687-383
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G04BBJHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB74.20
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*
THB62.87
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB67.27
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 74 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | THB31.435 | THB62.87 | - |
| 20 - 48 | THB27.725 | THB55.45 | THB74.20 |
| 50 - 198 | THB25.00 | THB50.00 | THB321.75 |
| 200 - 998 | THB20.05 | THB40.10 | THB2,277.00 |
| 1000 + | THB19.555 | THB39.11 | THB11,880.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-383
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G04BBJHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Series | RD3G04BBJHRB | |
| Package Type | TO-252 (TL) | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24.0mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27.6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.8mm | |
| Length | 10.5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101 | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Series RD3G04BBJHRB | ||
Package Type TO-252 (TL) | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24.0mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27.6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.8mm | ||
Length 10.5mm | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101 | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM AG501EGD3HRB Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG501EGD3HRBTL
- ROHM AG087FGD3HRB N-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG087FGD3HRBTL
- ROHM RD3P08BBLHRB Type P-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3P08BBLHRBTL
- ROHM AG502EED3HRB Type P-Channel Single MOSFETs -30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG502EED3HRBTL
- ROHM RD3N045AT Type P-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3N045ATTL1
- ROHM RD3L04BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3L04BBJHRBTL
- ROHM RD3E08BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs -30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3E08BBJHRBTL
- ROHM RD3E07BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs -30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3E07BBJHRBTL
