ROHM RD3G04BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3G04BBJHRBTL

RS Stock No.:: 687-383
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RD3G04BBJHRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM RD3G04BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3G04BBJHRBTL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB62.87

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB67.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 18	THB31.435	THB62.87
20 - 48	THB27.725	THB55.45
50 - 198	THB25.00	THB50.00
200 - 998	THB20.05	THB40.10
1000 +	THB19.555	THB39.11

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-383
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: RD3G04BBJHRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type P
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-40V
	Package Type	TO-252 (TL)
	Series	RD3G04BBJHRB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	24.0mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	5 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd	53W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS, AEC-Q101
	Height	2.3mm
	Length	10.50mm
	Width	6.8 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type P
	Maximum Drain Source Voltage Vds -40V
	Package Type TO-252 (TL)
	Series RD3G04BBJHRB
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 24.0mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd 53W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101
	Height 2.3mm
	Length 10.50mm
	Width 6.8 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - RD3G04BBJHRBTL

COO (Country of Origin):: JP

The ROHM Power MOSFET delivers exceptional performance, designed specifically for high-efficiency applications. This component effectively manages power with a maximum Drain-Source voltage of -40V and continuous current handling of ±40A, making it ideal for managing electrical loads in various systems. Its low on-resistance of 24.0mΩ ensures minimal energy loss, promoting efficiency, while robust thermal characteristics allow it to operate reliably up to 175°C junction temperature. This product is not only AEC-Q101 qualified but also 100% avalanche tested, ensuring dependable functionality in critical environments. It is the perfect choice for applications in automotive systems, lighting, and industrial controls.

Low on resistance design for reduced energy loss

Outstanding thermal resistance enhances reliability in high-temperature environments

AEC Q101 qualification ensures quality and performance in automotive applications

100% avalanche testing reinforces component reliability under extreme conditions

Embossed packaging facilitates easy handling and integration into systems

Compatible with a variety of applications, including ADAS and lighting

High pulsed drain current capability of ±80A supports demanding load scenarios

Minimal gate charge enhances switching speed, improving overall efficiency

ROHM RD3G04BBJHRB Type P-Channel Single MOSFETs, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3G04BBJHRBTL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง