ROHM AG502EED3HRB Type P-Channel Single MOSFETs, -30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG502EED3HRBTL

RS Stock No.:: 687-467
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG502EED3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM AG502EED3HRB Type P-Channel Single MOSFETs, -30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG502EED3HRBTL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB79.71

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB85.29

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 18	THB39.855	THB79.71
20 - 48	THB35.15	THB70.30
50 - 198	THB31.435	THB62.87
200 - 998	THB25.495	THB50.99
1000 +	THB24.755	THB49.51

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-467
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG502EED3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type P
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Series	AG502EED3HRB
	Package Type	TO-252 (TL)
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	77W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	5 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	52nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	6.80 mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, RoHS
	Length	10.50mm
	Height	2.3mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type P
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Series AG502EED3HRB
	Package Type TO-252 (TL)
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 77W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 6.80 mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS
	Length 10.50mm
	Height 2.3mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AG502EED3HRBTL

COO (Country of Origin):: JP

The ROHM Power MOSFET designed for efficient and reliable energy management in automotive systems. Featuring a maximum drain-source voltage of -30V and continuous drain current capability of up to 78A, this device is ideal for demanding applications requiring robust power handling. Its low on-resistance of 8.5mΩ minimises power loss, contributing to enhanced thermal efficiency. Additionally, the MOSFET is qualified under AEC-Q101 standards, ensuring it meets rigorous automotive requirements for durability and performance. With excellent avalanche characteristics and a wide operational temperature range, the AG502EED3HRB ensures consistent performance under diverse conditions.

Robust construction with AEC Q101 qualification for automotive applications

Low on resistance of 8.5mΩ, optimising energy efficiency

Max continuous drain current of 78A enables handling of demanding loads

Wide operating temperature range from -55°C to 175°C for reliable performance

Thermal resistance of 1.94°C/W enhances heat dissipation capabilities

100% Avalanche tested, ensuring high reliability under transient conditions

Pb free plating and compliance with RoHS standards for environmentally-friendly design

ROHM AG502EED3HRB Type P-Channel Single MOSFETs, -30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG502EED3HRBTL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง