ROHM AG501EGD3HRB Type P-Channel Single MOSFETs, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG501EGD3HRBTL

RS Stock No.:: 687-359
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG501EGD3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM AG501EGD3HRB Type P-Channel Single MOSFETs, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG501EGD3HRBTL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB143.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB153.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 18	THB71.785	THB143.57
20 - 48	THB63.12	THB126.24
50 - 198	THB56.685	THB113.37
200 - 998	THB45.795	THB91.59
1000 +	THB44.555	THB89.11

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-359
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AG501EGD3HRBTL
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type P
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-40V
	Package Type	TO-252 (TL)
	Series	AG501EGD3HRB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	5 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	142W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	145nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.3mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, RoHS
	Width	6.80 mm
	Length	10.50mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type P
	Maximum Drain Source Voltage Vds -40V
	Package Type TO-252 (TL)
	Series AG501EGD3HRB
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 142W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 145nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.3mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS
	Width 6.80 mm
	Length 10.50mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AG501EGD3HRBTL

COO (Country of Origin):: JP

The ROHM P channel power MOSFET designed for efficient energy management in automotive systems and various applications. Featuring a maximum Drain-Source voltage of -40V and a continuous drain current capability of up to -80A, this robust device delivers exceptional reliability under demanding operating conditions. With a low on-resistance of just 4.9mΩ, it ensures minimal energy loss, contributing to improved overall system efficiency and thermal performance. This MOSFET is also AEC-Q101 qualified, highlighting its suitability for automotive applications where stringent standards must be met.

Offers low on resistance for reduced power loss and enhanced efficiency

AEC Q101 qualified, ensuring reliability for automotive and critical applications

Avalanche tested to guarantee performance under dynamic conditions

Supports a maximum power dissipation of 142W, compatible with high-performance designs

Wide operating temperature range from -55°C to 175°C, allowing use in diverse environments

Pb free plating and RoHS compliant, meeting modern environmental standards

Optimised packaging specifications, including embedding options for automated assembly

Provides a guaranteed avalanche energy rating, ensuring robust operation during transient events

ROHM AG501EGD3HRB Type P-Channel Single MOSFETs, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) AG501EGD3HRBTL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง