Vishay SIR5607DP Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5607DP-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 653-195
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5607DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB197,187.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB210,990.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB65.729 | THB197,187.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-195
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5607DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SIR5607DP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.007Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.26 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.12mm | |
| Length | 6.25mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SIR5607DP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.007Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.26 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.12mm | ||
Length 6.25mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay P-channel MOSFET designed for efficient switching in Compact power systems. It supports up to 60 V drain-source voltage and is housed in a PowerPAK SO-8 package. Built using TrenchFET Gen V technology, it offers very low RDS(on), which minimizes voltage drop and conduction losses.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIR5607DP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5607DP-T1-UE3
- Vishay SiR Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5607DP-T1-RE3
- Vishay SISS176LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SiR870BDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS178LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS178LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS178LDN-T1-UE3
- Vishay SiR870BDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR870BDP-T1-UE3
- Vishay SISS176LDN Type N-Channel Single MOSFETs 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS176LDN-T1-UE3