Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5607DP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 279-9951
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5607DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB240.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB256.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,958 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB120.00 | THB240.00 |
| 50 - 98 | THB108.72 | THB217.44 |
| 100 - 248 | THB96.605 | THB193.21 |
| 250 - 998 | THB94.68 | THB189.36 |
| 1000 + | THB92.755 | THB185.51 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9951
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5607DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SiR | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.007Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 112nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SiR | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.007Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 112nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.15mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Less voltage drop
Reduces conduction loss
Fully lead (Pb)-free device
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiR Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5607DP-T1-RE3
- Vishay SIR5607DP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5607DP-T1-UE3
- Vishay SiR Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR4409DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5623DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5211DP-T1-GE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5108DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5112DP-T1-RE3