Vishay SQ4940CEY Dual N-Channel Single MOSFETs, 8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4940CEY-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 653-183
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4940CEY-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB42,357.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB45,321.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB14.119 | THB42,357.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-183
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4940CEY-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Dual N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQ4940CEY | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.024Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.75mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Dual N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQ4940CEY | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.024Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.75mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Length 5mm | ||
Width 4mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive-grade Dual N-channel MOSFET designed for high-performance switching applications. It operates at 40 V drain-source voltage and can withstand temperatures up to 175 °C, making it Ideal for demanding environments. This device is built with TrenchFET technology and comes in a Compact SO-8 package.
AEC Q101 qualified
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ4940CEY Dual N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SIS9122 Dual N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS9122DN-T1-GE3
- Vishay SIS9122 Dual N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ738EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Dual N-Channel Automotive MOSFET 40 V MOSFET, 8-Pin SO-8 SQ4940CEY-T1_BE3
- ROHM HT8MD5HT Dual N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8MD5HTB1
- ROHM HT8KF6H Dual N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KF6HTB1