ROHM HT8MD5HT Dual N-Channel Single MOSFETs, 80 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8MD5HTB1

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB50.99

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB54.56

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2 - 18THB25.495THB50.99
20 - 48THB22.525THB45.05
50 - 198THB20.30THB40.60
200 - 998THB16.34THB32.68
1000 +THB15.84THB31.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
687-385
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
HT8MD5HTB1
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Channel Type

Dual N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

HT8MD5HT

Package Type

HSMT-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

165mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.1nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

13.0W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.8mm

Length

3.45mm

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET designed for versatile electronic applications. With its dual N channel and P channel configuration, this component delivers exceptional performance, allowing for effective power management in motor drives and other demanding circuits. Features such as low on-resistance ensure minimal power loss during operation, while the HSMT8 packaging allows for a compact footprint without compromising performance. HT8MD5H supports a wide voltage range and is compliant with RoHS and halogen-free standards, making it an ideal choice for environmentally-conscious designs. Built with reliability in mind, this MOSFET is suitable for various applications requiring robust performance under varying conditions.

Low on resistance designs enhance efficiency in power applications

High power capabilities in a compact HSMT8 package streamline integration

RoHS compliant and halogen-free construction supports eco-friendly designs

100% Rg and UIS tested for reliability under demanding operational conditions

Optimised for motor drive applications, ensuring effective power control

Wide voltage range ensures versatility in various electronic environments

Designed to withstand maximum junction temperatures of up to 150°C

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง