Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs, 123 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ738EP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 653-066
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ738EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB135,990.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB145,500.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB45.33 | THB135,990.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-066
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ738EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Dual N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 123A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SQJ738EP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00317Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 93W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Width | 5.09 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Dual N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 123A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SQJ738EP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00317Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 93W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Width 5.09 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay automotive-grade dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in demanding environments. It supports up to 40 V drain-source voltage and operates reliably at junction temperatures up to 175 °C. Packaged in PowerPAK SO-8L, it utilizes TrenchFET Gen IV technology for enhanced thermal and electrical performance.
AEC Q101 qualified
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ140ER Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ114EL Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ190 Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ140ER Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJQ140ER-T1_GE3
- Vishay SQJQ114EL Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJQ114EL-T1_GE3
- Vishay SQJ190 Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ190ELP-T1_GE3
- Vishay SIS9122 Dual N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS9122DN-T1-GE3