ROHM HT8KF6H Dual N-Channel Single MOSFETs, 150 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KF6HTB1

RS Stock No.:: 687-371
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: HT8KF6HTB1
ผู้ผลิต:: ROHM

ROHM HT8KF6H Dual N-Channel Single MOSFETs, 150 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KF6HTB1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*

THB62.87

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB67.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2 - 18	THB31.435	THB62.87
20 - 48	THB27.725	THB55.45
50 - 198	THB25.00	THB50.00
200 - 998	THB20.05	THB40.10
1000 +	THB19.555	THB39.11

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 687-371
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: HT8KF6HTB1
ผู้ผลิต:: ROHM

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	ROHM
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Dual N
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	HT8KF6H
	Package Type	HSMT-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	214mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	14W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.45mm
	Height	0.8mm
	Width	3.4 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand ROHM
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Dual N
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series HT8KF6H
	Package Type HSMT-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 214mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 14W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.45mm
	Height 0.8mm
	Width 3.4 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - HT8KF6HTB1

COO (Country of Origin):: JP

The ROHM N channel power MOSFET designed for efficient power management in various applications. This component provides robust electrical characteristics, including a maximum continuous drain current of ±7.0A, ensuring reliable operation under high loads. Its Pb-free and halogen-free materials meet RoHS standards, contributing to environmentally friendly designs. This MOSFET's thermal resistance is optimised, allowing for effective heat dissipation, thus improving device longevity and performance in various electronic applications.

Low on resistance for improved efficiency

High power capacity in a compact HSMT8 mould package

Complies with RoHS regulations with Pb free plating

Halogen-free design to support eco-friendly initiatives

Versatile application in motor drives and power management systems

High maximum junction temperature rating of 150°C

Impressive maximum power dissipation of 14W

Reliable avalanche characteristics with a maximum energy of 0.24mJ

ROHM HT8KF6H Dual N-Channel Single MOSFETs, 150 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KF6HTB1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง