Vishay SIS9122 Dual N-Channel Single MOSFETs, 7.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS9122DN-T1-GE3

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB62,421.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB66,789.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB20.807THB62,421.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-097
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIS9122DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Dual N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

7.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SIS9122

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.16Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

17.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Height

0.8mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay automotive-grade dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8 Dual, it utilizes TrenchFET Gen IV technology for optimized electrical and thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง