Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor, 297 A, 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG020N13NM6ATMA1

RS Stock No.:: 349-136
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPTG020N13NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor, 297 A, 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG020N13NM6ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB384.96

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB411.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB384.96
10 - 99	THB346.37
100 - 499	THB319.65
500 - 999	THB296.39
1000 +	THB265.71

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-136
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPTG020N13NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Power Transistor
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	297A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	135V
	Package Type	PG-HSOG-8
	Series	IPT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	159nC
	Maximum Power Dissipation Pd	395W
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Power Transistor
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 297A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 135V
	Package Type PG-HSOG-8
	Series IPT
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 159nC
	Maximum Power Dissipation Pd 395W
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPTG020N13NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 135 V is an N-channel, normal level MOSFET designed to deliver high efficiency performance in power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), which minimizes conduction losses for greater energy efficiency. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it ensures optimal switching performance. The MOSFET also offers very low reverse recovery charge (Qrr), improving switching efficiency. Additionally, it is 100% avalanche tested for reliability and can operate at 175°C, making it suitable for high temperature and demanding environments.

Optimized for motor drives and battery powered applications

Pb free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor, 297 A, 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG020N13NM6ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง