Infineon IPT N-Channel MOSFET, 297 A, 135 V Enhancement, 16-Pin PG-HSOF-16 IPTC020N13NM6ATMA1
- RS Stock No.:
- 349-133
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB441.96
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB472.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,554 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB441.96 |
| 10 - 99 | THB397.88 |
| 100 - 499 | THB366.85 |
| 500 - 999 | THB340.19 |
| 1000 + | THB304.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-133
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 297A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 135V | |
| Package Type | PG-HSOF-16 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 16 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 395W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 159nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 297A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 135V | ||
Package Type PG-HSOF-16 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 16 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 395W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 159nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high performance power applications. It offers very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and enhancing efficiency. The MOSFET features an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) for superior switching performance. It also boasts a very low reverse recovery charge (Qrr), optimizing efficiency during switching events. With a high avalanche energy rating, it ensures reliability under demanding conditions and operates effectively at 175°C, making it ideal for high temperature environments.
Optimized for high frequency switching and synchronous rectification
Pb free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
MSL 1 classified according to J-STD-020
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT020N13NM6ATMA1
- Infineon IPT N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG020N13NM6ATMA1
- Infineon IPT N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 16-Pin HDSOP IPTC014N10NM5ATMA1
- Infineon IPT N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT012N06NATMA1
- Infineon IPT N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT014N08NM5ATMA1
- Infineon IPT N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT029N08N5ATMA1
- Infineon IPT N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T065S7XTMA1
- Infineon IPT N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT129N20NM6ATMA1