Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor, 297 A, 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT020N13NM6ATMA1
- RS Stock No.:
- 349-120
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT020N13NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB468.09
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB500.856
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB234.045 | THB468.09 |
| 20 - 198 | THB210.79 | THB421.58 |
| 200 - 998 | THB194.215 | THB388.43 |
| 1000 - 1998 | THB180.36 | THB360.72 |
| 2000 + | THB161.555 | THB323.11 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-120
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT020N13NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 297A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 135V | |
| Package Type | PG-HSOF-8 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 159nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 39W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power Transistor | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 297A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 135V | ||
Package Type PG-HSOF-8 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 159nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 39W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is an N-channel, normal level MOSFET designed for efficient power switching applications. It offers very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and improving overall performance. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it ensures superior switching efficiency. The MOSFET also features very low reverse recovery charge (Qrr) for better efficiency during switching events.
Optimized for motor drives and battery powered applications
Pb free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
MSL 1 classified according to J-STD-020
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG020N13NM6ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R037CM8XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R045CFD7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT067N20NM6ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R022S7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R016CM8XTMA1