Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor, 142 A, 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC046N13NM6ATMA1

RS Stock No.:: 349-143
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC046N13NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor, 142 A, 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC046N13NM6ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB388.43

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB415.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB194.215	THB388.43
20 - 198	THB174.915	THB349.83
200 - 998	THB161.31	THB322.62
1000 - 1998	THB149.68	THB299.36
2000 +	THB134.095	THB268.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-143
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC046N13NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id	142A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	135V
	Package Type	PG-TDSON-8
	Series	ISC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	211W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	65nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id 142A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 135V
	Package Type PG-TDSON-8
	Series ISC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 211W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - ISC046N13NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: CN

The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is an N-channel, normal level MOSFET designed for high performance power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), which minimizes conduction losses and enhances overall efficiency. The transistor also offers an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), ensuring optimal switching performance. With very low reverse recovery charge (Qrr), it reduces switching losses, making it suitable for fast-switching applications. Additionally, the device is 100% avalanche tested, ensuring reliability and robustness under stress conditions.

175°C operating temperature

Optimized for motor drives and battery powered applications

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor, 142 A, 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC046N13NM6ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง